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MRF6VP11KH

更新时间:2024-03-31 21:32:26
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  • 厂家：Freescale Semiconductor
  • 描述：MRF6VP11KHR6 1.8-150 MHz, 1000 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET
MRF6VP11KH 相关信息
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    飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。 以高功率水平实现高增益，这...
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