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MSD1819A-RT1

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  • MSD1819A-RT1

    MSD1819A-RT1

  • 1202

  • ON/ONSemiconductor/鐎瑰锛庣紘搴″斧閹解晜澧純

  • SOT-323/14+/15+

  • -

  • 全新原装 | www.st180.com 可查报价请...

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MSD1819A-RT1 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:IC=0.1A
    电压参数:U(BR)CEO=50V/U(BR)CBO=60V/U(BR)EBO=7V
    功   率:PD=0.15W
    极   性:NPN

MSD1819A-RT1PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准

MSD1819A-RT1外观图

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
  • 最大直流电集电极电流:0.1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:210 at 2 mA at 10 V
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SC-70-3
  • 封装:Reel
  • 集电极连续电流:0.1 A
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:150 mW
  • 工厂包装数量:3000
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