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NP15P06SLG

更新时间:2024-04-26 06:39:53
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NP15P06SLG 相关信息
  • NEC电子推出新型P沟道功率MOSFET产品(图)
    ...-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40V和-60V)及可由逻辑门驱动产品。在DPAK封装系列中,低漏极电流器件(ID(DC)<50A)中的导通电阻(RDS(ON))为9.6mOhm(NP50P04SDG)至75mOhm(NP15P06SLG)。而在D2PAK封装系列中,额定漏极电流为-100A的器件的导通电阻(RDS(ON))则降至3.7mOhm。 能实现P-沟道功率MOSFETs超低导通阻抗(RDS(ON))值主要是因为采用了UMOS-4工艺。该工艺采用0....
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