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NTD32N06T4G

更新时间:2024-03-28 06:12:15
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NTD32N06T4G外观图

  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:32A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:26 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1725pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:DPAK-3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTD32N06T4GOS
NTD32N06T4G 相关信息
  • NTD32N06T4G的技术参数
    产品型号:NTD32N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26最大漏极电流Id(on)(A):32通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150描述:32 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):¥5.80 来源:xiangxueqin

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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