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NTHD4102P

更新时间:2024-04-25 18:05:43
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NTHD4102P 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:ID=-2.9A/IS=-13.8A
    电压参数:UDSS=20V/UGS=±8V
    功  率: PD=1.1W
    其他参数:4.5V/64mΩ、2.5V/85mΩ,1.8V/120mΩ,tn=20ns
    极  性:P
    备  注:双场效应管/内含二极管

NTHD4102P 相关信息
  • 手机USB充电和过压保护解决方案
    ...T代替肖特基二极管,可以降低传输元件上的压降,从而符合所需要的有限电压裕量要求。例如,双FET用作充电功率元件(如图3(b)所示)就是一个更加合适的选择。在这方面,安森美半导体的NTLJD3115P和NTHD4102P就是非常适合的选择。其中,NTLJD3115P是一款-20 V、-4.1 A、μCool? 双P沟道功率MOSFET,它采用2×2 mm的WDFN封装,具有极低的导通阻抗,其0.8 mm的高度也使其非常适合纤薄的应用...
  • 为带USB接口的手机提供全方位保护和充电解决方案
    ...,传输元件(MOSFET)的Rds(on)应保持尽可能低。在NCP347中,集成的N沟道MOS开关的典型Ron仅为典型值65mΩ。这个值是市场中同类产品中最低的。 图3:采用两个具有低Rds(on)的MOSFET作为传输元件。NTHD4102P是一个典型Rds(on)值为6?mΩ的双P沟道MOSFET,因此充电电流为1A时仅产生0.13V的压降。 带连接至处理器的接口的OVP IC可实现更加智能的保护方案。假定Flag引脚报告故障状态,Enable引脚...

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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