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NTZD3152PT1

更新时间:2024-04-17 14:55:01
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NTZD3152PT1 相关信息
  • 安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ 2005
    ...1.6mm,厚度为0.6mm至1.0mm,有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入Trench MOSFET的门,以此提供良好的ESD保护。 这八款低压Trench MOSFET器件中的NTA4151PT1、NTE4151PT1、NTZS3151PT1和NTZD3152PT1是用于850mA高端负载开关的P沟道MOSFET,提供单模式和双模式;NTA4153NT1、NTE4153NT1和NTZD3154NT1是用于高达915mA低端负载开关的N沟道MOSFET,提供单模式和双模式;NTZD3155CT1是...
  • 安森美新型低压沟道MOSFET
    ...安森美半导体所以将齐纳二极管集成至沟道MOSFET门,提供优异的ESD保护。总之,这些封装、性能和集成度的改进进一步简化整体板设计并腾出额外的板空间。 - NTA4151PT1,NTE4151PT1,NTZS3151PT1和NTZD3152PT1:用于达850 mA高端负载开关的P沟道MOSFET。提供单模式和双模式。- NTA4153NT1,NTE4153NT1 和NTZD3154NT1:用于高达915 mA低端负载开关的N沟道MOSFET。提供单模式和双模式。- NTZD3...

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