发布于：2017/10/13 11:57:10 | 530 次阅读
在DRAM供货吃紧的情况下，其再次出现价格疯涨现象。据业者估计，2017年DRAM整体价格涨幅将高达39%，在智能手机存储器容量提升以及服务器需求的驱动下，明年将出现持续增长现象。
据市场调查数据显示，2016年第四季度DRAM供不应求，带动2017年季度上涨30%以上。以DRAM市场整体走向来看，今年第三季度平均涨幅约7%，未来第四季度涨幅约5%-10%，虽然涨幅依旧，但是至2018年，涨幅会逐渐趋于平稳，相比2017年，涨幅不会太大。
DRAM连续一年涨幅的主要原因为以下几点，其一，近年来，小米、华为以及OPPO等国产手机开始走中高端路线。其二，数据中心的服务器对于DRAM需求加强。其三，DRAM产业制程接近极限，技术研发难度增加，导致供货短缺。
至于NAND Flash走势情况，据业者分析，在今年第四季度苹果需求的冲击下，其缺口会逐渐扩大，但是除苹果外，其余手机厂商对于NAND Flash并没有需求，所以其整体相对于第三季度会处于平衡状态。明年季度为传统淡季，整体价格可能会不升反降。
在芯片市场的冲击下，三星电子、美光科技以及SK海力士等三大巨头直接霸占了90%以上的市场份额，强势控制价格增长的比率。至于国内外其余芯片企业，则“分羹”较少，处于紧追猛赶的状态，但整体来看，国内外市场短期内也是呈现欣欣向荣之景。
三星的布局
在经历Galaxy Note 7手机爆炸的影响后，三星对于产品质量以及生产过程有了严格的把控，借助于DRAM市场涨势，三星渐渐“恢复元气”。作为的DRAM芯片制造商，三星无疑是这场涨势中的受益者，据第二季业绩展望报告显示，其营业利润再创新高，同比增长约72%，预计未来第三季度将持续增长。
据了解，苹果、OPPO、三星以及Vivo已经承包了三星DRAM近70%的产量，而三星由于3D NAND Flash制程良率以及相关印刷材料短缺的问题，使得DRAM供应短缺更加严重。
对于新技术研发方面，三星似乎早有布局。据消息称，三星目前正在研发17nmDRAM,预计明年将进入量产阶段。同时，三星也展开了16nmDRAM的研发，不过最快量产时间也将在2020年，毕竟随着制程技术提升，后面的研发难度会越来越大。而且三星预测15nm将接近DRAM的物理极限，未来将很长时间开发新材质，提升制程稳定性以便于缩小线宽。
以目前市场来看，Galaxy Note 8的预定量再创历史新高，而且iPhone X所搭载的OLED屏幕均来自于三星，故三星第三季度的营收数据肯定不会太差，据消息透漏，三星将于月底公布营收的详细结果。
美光建设新厂 研发全新技术
此前，美光科技DRAM大厂台湾桃园厂区由于氮气泄露的原因，造成5000至1万片的晶圆直接报废，4万片晶圆则被视为次级品或者报废品。好在公司迅速解决并恢复正常生产运作，对于其之后的产能并没有太大的影响。
8月14日，美光在总部举办活动庆祝新厂建设成功。据悉，这个工厂主要用于美光研发全新内存以及，美光技术开发执行副总裁ScottDeBoer表示，美光的主要DRAM技术研发中心已经转入其日本广岛的制造工厂，未来将加快3D NAND以及DRAM全新技术的研发。
受惠于DRAM市场的涨潮，美光预计2017年会计年度第四季营收同比增长91%，高达61.38亿美元，且对于2017年底营收的展望远超市场预期，预估为63亿美元左右。美光执行长SanjayMehrotra表示，美光1X纳米DRAM以及64层3D NAND的良率将于今年年底达到稳定阶段，从产业目前情况来看，今年年底前，DRAM以及NAND Flash都将供不应求。
SK海力士强势出击
对于内存与存储器市场，SK海力士则表现的极为“豪气”，直接出资86.1亿美元进行3D NAND Flash以及DRAM扩产，似乎是市场趋势一片大好的原因，SK海力士将两厂扩产竣工的时间直接缩短至明年第四季度。
据了解，此次SK海力士扩产主要用于技术升级，产能至多提升3%-5%，相对于美光来说，这更像是一场新技术研发速度的比赛，毕竟美光刚建设新厂不久，两者建设新厂的目的似乎不谋而合。
在产品研发上，SK海力士于2017年年初推出高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片，并于4月再次推出AI、VR以及自动驾驶等显示器专用的超高绘图存储器DRAM–Graphics DDR6。
在NAND Flash 产品方面，美光成功开发出72层堆叠芯片，相比于上一代48层堆叠芯片，其运行速度提升2倍，读写性能提升了20%，生产效能也增长了30%，目前已经开始量产。
总结：
在NAND Flash以及DRAM市场涨潮不断的情况下，三星电子、美光科技以及SK海力士等三大巨头并未满足于现状，而是不断研发全新产品。在这场角逐中，或许他们三者都是赢家。
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