智能手机市场快充持续扩张,为何 PI 选择 GaN 而非碳化硅?

发布于:2019/7/30 10:39:16 | 1982 次阅读

  PI总裁兼首席执行官Balu Balakrishnan表示,由于智能手机市场快充技术的持续扩张,USB PD将在未来几年成为其收入增长的驱动力。因为PI推出的基于GaN基InnoSwitch新器件不仅可以解决移动设备快充效率、散热问题,而且体积可以做的足够小。
  据其介绍,Power Integrations(以下简称“PI”)第二季度收入比上一季度增长了15%至1.029亿美元。其中终端市场业务收入贡献值是37%消费类,33%工业,24%通信及6%的计算机业务。
  据悉,在这四大终端应用中今年二季度PI的贡献者来自通信市场,它比上一季度增长了50%以上,其原因主要得益于智能手机快充市场蓬勃兴起。另外,移动设备市场显然正受到多种融合趋势的推动。
  首先是新USB PD充电标准搭配Type-C连接器可以为任何移动设备提供高达100W的功率。其次,原始设备制造商(OEM)正在其设备中加入容量更大的电池,以便随着使用量的不断增加而延长电池续航时间。这种趋势会随着5G手机被采用而持续。
  第三、随着手机品牌商不断推出各式各样的旗舰机争夺市占率,许多OEM现将充电速度视为差异化的标志。尽管OEM对充电速度的重视程度各不相同,但很明显,更快的充电是整个行业的趋势,将在未来几年内爆发。
  “我们相信我们拥有市场上的技术来应对快速充电趋势,PI认为随着功率水平的不断提高,公司的技术优势将会增加。”Balu Balakrishnan表示。效率在快速充电中至关重要,因为外形太小容易造成散热不好,而集成也很关键,因为高功率充电器通常具有更高的复杂度和更多的元件数。而PI的 InnoSwitch产品恰好可以弥补这一缺陷。
  据其今日官方消息,InnoSwitch家族又再添新成员——InnoSwitch 3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC。新IC可在整个负载范围内提供95%的高效率,并且在密闭适配器内不使用散热片的情况下可提供100W的功率输出。这一突破性的性能提升源自内部开发的高压氮化镓开关技术。
  Power Integrations总裁兼首席执行官Balu Balakrishnan表示。“PI是目前家大批量生产高压GaN基产品的公司。实际上,几款采用GaN基产品的充电器已经在零售市场上广泛销售,其中包括极小尺寸的30W USB PD充电器,可轻松插入衬衫口袋。”
  这款基于GaN的InnoSwitch器件具有优异的高效能,可实现极小的外形尺寸,从而实现硅开关无法达到的功率密度水平。Balu Balakrishnan指出,“虽然这些新产品是针对移动设备的高功率充电器,但GaN基在未来几年的产品路线图中会扮演重要角色,公司计划推出一系列新产品,将GaN的优越性能带入将来市场产品的广泛应用中。”
  对于PI而言,GaN技术的重要性不言而喻,它不仅适用于适配器,还适用于功率转换。它希望将这项技术推广到更多新产品中。譬如在30W或40W的产品中使用这项技术,原因有二:一是PI 的GaN技术与业界一直谈论的所有其他GaN技术完全不同。因为它是专有的。PI将这项技术专注于电源转换,它是专门为此而设计的。二是GaN作为一种尚未商业化的技术是因为GaN分立器件非常难以使用。业界很难去驾驭它。保护它,因为过高的电流会损坏器件。但是这个问题,PI已经彻底攻克,它可以完全集成在PI系统级芯片中。
  也许有人会问为什么PI选择GaN而不是碳化硅?Balu Balakrishnan给出的解释是,GaN和碳化硅都是一种非常有价值的技术,但后者更适用于使用1,200V和1,700V的高压时。在600V,700V的情况下,它将很难与氮化镓技术竞争。
  展望未来,PI预计第三季度收入将达到1.14亿美元,上下浮动300万美元。其中大部分增长来自通信和工业市场。其中通信市场的增长主要来源于移动设备USB PD业务。

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