Vishay新款功率MOSFET提供1℃/W热阻

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新闻出处：电子市场发布时间： 2005年12月29日

Vishay Intertechnology公司宣布推出2款功率MOSFET——SiE802DF和SiE800DF，其热阻均为1℃/W，封装的两面均可散热，主要用于电脑使用的DC-DC转换器等产品。
其中，SiE802DF用于同步整流式DC-DC转换器的低压端，其导通电阻低，在+10V的栅电压下为1.9mΩ，在+4.5V栅电压下为2.6mΩ，最大工作电流为60A；SiE800DF用于高压端，栅电荷为12nC。从导通来说，SiE800DF在+10V的栅电压下为7.2 mΩ，在+4.5V下为11.5 mΩ，源-漏极之间的耐压均为30V。
这两款产品均采用Vishay公司的“PolarPAK”封装，封装尺寸为5mm×6mm，与普通的SO-8封装相同。据介绍，PolarPAK在封装的上、下两面均设计了散热点，封装内部不易蓄热。因此能够将工作电流的电流密度提高至SO-8的2倍。此外，该公司已向意法半导体(ST)公司提供PolarPAK技术授权。

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