| 野田试制面向元件内置型底板的薄膜电容器 |
| 新闻出处：中国电子元件行业协会 发布时间： 2006年08月30日 |
成功试制出了薄膜电容器。这种薄膜电容器堆叠10层时，每1cm2的容量约为900nF。该公司正在与日本电装一同进行这种薄膜电容器面向元件内置型底板的实用化研究，目前已完成1005尺寸的电容器试制工作。
气溶胶CVD法是使用超声波使液体材料雾化并加热后、堆叠于底板上的工艺方法。由于常压下即可成膜，所以具有无需真空腔的优点。此次在Al2O3底板上交替堆叠SrTiO3（STO）和Pt，从而形成电容器。底板的厚度为260μm，10层薄膜的厚度为3μm左右。由于必须将底板加热至最大600℃左右，所以无法直接在印刷电路底板上成膜。 成功试制出了薄膜电容器。这种薄膜电容器堆叠10层时，每1cm2的容量约为900nF。该公司正在与日本电装一同进行这种薄膜电容器面向元件内置型底板的实用化研究，目前已完成1005尺寸的电容器试制工作。
气溶胶CVD法是使用超声波使液体材料雾化并加热后、堆叠于底板上的工艺方法。由于常压下即可成膜，所以具有无需真空腔的优点。此次在Al2O3底板上交替堆叠SrTiO3（STO）和Pt，从而形成电容器。底板的厚度为260μm，10层薄膜的厚度为3μm左右。由于必须将底板加热至最大600℃左右，所以无法直接在印刷电路底板上成膜。 |
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