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用万用表测量硅单结晶体管
新闻出处:电子市场 发布时间: 2007年01月17日
(1)极间电阻的测量

    测量极间电阻,可以检查管子结的好坏,也可以测出基极电阻RBB,测量方法如图1—128所示。





 

    测量后的数据可见下表所列。

    发射极到两个基极的反向电阻应映了发射极的漏电流。这个电流是很小的,一般只有1—2μA,因此阻值应该很高,即使用高电压的电阻档量,阻值也很高。

    (2)分压比的粗测方法

硅单结晶管是个负阻元件,它可以存在两种状态,一种是发射放电流极小的截止状态,一种是发射极电流较大的导通状态。

 

EΘB1

EΘB2

B1B2Θ

B1 B2

BT33B

Rx1Ω

700Ω

500Ω

Rx10Ω

1KΩ

900Ω

10KΩ

10KΩ

Rx1KΩ

13KΩ

8.7KΩ

8.2KΩ

8.2KΩ

Rx10KΩ

10KΩ

8KΩ

8KΩ

8KΩ

 

   所以要能找到截止和导通两种状态,才能表示管子是好的。图l—129所示是分压比的测量方法。

    测量时,先用1.5V外加电源接通两基极(一定要先接通两基极电源,  否则测量不准),万用表置于R xlkΩ档或R xl00Ω档,通过表内电池接通发射极。如果万用表指针不摆动,阻值无穷大,则此管子的η>0.5l。如果万用表指针摆动(那怕只摆动很小),说明该管子η>0.53。初步说明前者管子是好的,后者管子有毛病。

    再把外加电源E提高到3V,然后重复上述步骤,此时万用表指针不动的管子其0.25<η<0.53,而万用表阻值较小的管子其0..27(因为万用表R×100Ω或R×lKΩ档是使用表内

1.5V电池).

   对于η<0.27的管子,再将外加电源电压提高到4.5V,如果指针摆动仍很大,则表示该被测管难以截止,即使该管子不是坏的,也不会好用。

    如果要测得分压比6的具体数值,可按图1—130所示接线。图中D为硅二极管,万用表为直流电流档,其它元件无将殊要求,电源电压E采用10V左右,电压表的具体读数为5V,则η=V/E

    如电源电压采用10V,万用表电压读数为5V,则η=5/10=0.5

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