英特尔打破芯片散热瓶颈摩尔定律再活100年

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新闻出处：新浪发布时间： 2007年01月29日

1月28日消息，据国外媒体报道，英特尔日前宣布，已经解决了长期困扰半导体行业的芯片散热问题。
　　据美联社报道，英特尔日前表示，已经开发出新的材料来替代当前晶体管中的易发热材料。与当前材料相比，新材料能够降低电子泄露10倍以上，提升晶体管性能20%以上。
　　英特尔公司创始人之一戈登?摩尔
　　业内专家称，这将是自20世纪60年代以来晶体管技术史上的最大突破。该技术允许半导体厂商制造体积更小的电子产品。
　　近年来，尽管半导体公司仍在续写摩尔定律，但芯片散热问题已经成为半导体厂商所挠头的问题。这主要是由于晶体管所采用的绝缘材料二氧化硅体积越来越小，电流数量增加导致发热量过高。
　　半导体厂商在晶体管中使用二氧化硅的历史已经40多年。而英特尔的新技术就是利用新材料来取代二氧化硅，从而降低芯片发热量。

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