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ATMI和IBM合作开发下一代半导体材料和制程技术
新闻出处:SEMI 发布时间: 2007年12月17日

  据Semiconductor International网站报道,ATMI与IBM签订了一项技术发展协议,将针对45nm及以下节点先进半导体材料和制程技术进行合作开发。该项合作将在ATMI在Connecticut州的总部和实验室以及IBM的Watson研究中心进行。

  根据协议,ATMI将结合自身的半导体材料和制程经验以及IBM领先的IC设计和制造技术,双方努力合作新材料和薄膜制程,以更迅速和有效地解决先进集成电路所面临的挑战。

  ATMI工艺解决方案执行副总裁Tod Higinbotham表示,新的材料将有效推动IC性能。在推动新一代材料和领先半导体工艺的创新与商业化方面,本次合作将给双方带来收益。我们正在积极解决具体的材料问题,这些将会影响未来半导体产业的发展。

  IBM研究中心资深经理Ronald D. Goldblatt表示,IBM相信,制程与材料改进可以对未来半导体产业的发展做出突出的贡献。此次联合开发工作,结合各自优势,有助于带来新的材料解决方案和成功开发领先的元件应用。

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