Sematech将使用X射线开发新型半导体材料

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新闻出处：半导体国际发布时间： 2007年03月21日

      据EETimes网站报道，英国X射线计量系统供应商BedeX-rayMetrology日前表示，Sematech将使用其X-ray计量系统评估45nm及以后制程节电的新型半导体材料，从而加速Bede的X-ray技术的上商用化。
      据悉，Bede的X-ray计量系统将被Sematech的研究人员用于包括SiGe、金属栅极和high-k电介质在内的前沿前段材料的研发。具体而言，上述系统将用于帮助研发人员研究high-k电介质和金属电极中存在的晶相和结晶度，以及SiGe薄膜中应力的测定。
      Sematech公司的高级研究员AlainDiebold在一份声明中表示，high-k材料的晶向和结晶度会影响器件的电气特性，使用XRD（X射线衍射分析仪）可以帮助研究人员调整工艺，加速high-k电介质的开发。当前XRD是测量SiGe中的应力和成分的先进技术。

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