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美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片
新闻出处:SINA 发布时间: 2007年03月07日
      美光科技公司(Micron Technology, Inc.)在3GSM世界大会上,面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新型1Gb移动DRAM内存芯片。美光科技将把新的1Gb移动DRAM内存芯片和1、2、4Gb NAND闪存芯片捆绑在一起,构成强大的内存组合。这种捆绑的移动DRAM和NAND封装通常被称为多芯片封装(MCP),能够为移动电话节省更多的空间,因而可以加入更多的功能或设计出更小巧的产品。 
  美光科技存储器事业部副总裁Brian Shirley说:“随着移动电话不断向呈现更丰富的内容,如音乐、图像和视频的方向发展,厂商迫切需要更紧凑的内存解决方案。”他说:“美光科技通过推出新的内存设计不断进行创新和实践,今天发布的新型1Gb移动DRAM内存芯片就是一个证明。把新的内存芯片和各种容量的NAND闪存芯片组合在一起,使我们在竞争中独树一帜,而且为客户的高密度数据存储应用提供了紧凑的内存解决方案。” 
  美光科技新的1Gb内存芯片采用78纳米工艺设计,是容量从64Mb到512Mb的移动DRAM产品家族的最新成员。美光科技的移动DRAM产品以公司独有的Endur-IC(TM)技术为特色,该技术利用先进的层叠工艺及一套独特的设计方法,能为无线和手持产品带来低功耗、高质量、高可*性和更好的总体性能。 
  随着计算、移动和照相功能的融合不断促进令人兴奋的便携新产品的开发,美光科技为客户带来了满足设计要求的全面解决方案,包括移动DRAM、CellularRAM存储器、NAND闪存和DigitalClarity CMOS成像传感器。欲了解美光科技公司移动产品的更多信息.
  美光科技公司正于本周在西班牙巴塞罗纳举行的3GSM世界大会上展示自己的移动内存产品组合。美光科技将在第一厅1H21区自己的展位演示多种多样的成像传感器和移动内存产品。 
  美光科技将从本月开始向战略客户交付1Gb移动DRAM样品,批量生产预计将从第三季度开始。此外,美光科技将从2007年第二季度开始交付1Gb移动DRAM和1Gb NAND MCP样品,2007年夏天开始交付2Gb和4Gb NAND MCP样品。
  
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