可控硅作为大功率电子器件在工程中得到广泛应用，其过零触发控制方式由于对电网无污染，在许多调功设备中都采用这种触发方式。市场上提供了几种过零触发的集成电路，由于没有必要的保护，一旦电路出现故障，将危及与之相连接的其它设备，并没有受到用户的青睐，很多用户自己研制可控硅控制电路。图3所给出的可控硅触发电路，采用了二级保护措施，经在多台调功设备上使用，证明工作稳定，有很高的可靠性。
图1中DOPT1～DOPT3为交流光耦，图1中A1、B1、C1各点的输出波形如图2所示。
交流电压过零过，光敏三极管截止，产生输出负脉冲，输出点A1的波形如图2中 UA1所示：UA1经过施密特触发器整形、反向后波形图2中UB1所示：我们看到UA1和UB1的脉冲均跨越过零点左右，如果直接作为发出脉冲，会导致可控硅结温过快升高，影响器件寿命，为此，用一个电阻和一个电容构成一个单稳态移相电路，处理后的C1点的同步输出脉冲如图2中UC1所示。
图3中，RWM是占空比为0－100％的时间比例脉冲，经与同步脉冲相遇后，产生决定可控硅通断的触发脉冲，作为光控可控硅MC3061的输出驱动大功率可控硅，控制可控硅的通断，以调节负载功率。经过脉宽调制后负载的波形如图2中UOUT所示。
为了对可控硅进行保护，光控可控硅支路串联一个50Ω的电阻，和二阳极和门控段间并联一个100Ω的电阻。 |
