| Linear 发布双路理想二极管“或”控制器 |
| 新闻出处：21IC中国电子网 发布时间： 2007年04月11日 |
凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出的双路理想二极管“或”控制器 LTC4355 允许在高可用性系统中用 N 沟道 MOSFET 取代肖特基二极管，并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电源二极管“或”电路可降低功耗、减小热耗散及所占用的印刷电路板面积。该器件 9V 至 80V 的宽工作电压范围支持具有两个正电源的二极管“或”应用，如 12V 分布式总线架构，或两个负电源的返回通路，如 -48V AdvancedTCA（ATCA）应用。另外，LTC4355 监视如下几种类型的故障并分别发出不同的信号：输入电源未进入稳定状态；并行保险丝烧断；MOSFET 上的电压高于故障门限。
在 ATCA 等大功率、高可用性应用中，必须有冗余电源和冗余返回通路，这时“或”二极管的功率和热耗散可能过大，而用 MOSFET 可组成效率更高的解决方案。LTC4355 为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动，可实现快速关断以防止反向电流，以及在没有出现振荡的情况下平稳地切换电源。LTC4355 正二极管“或”控制器对 LTC4354 负二极管“或”控制器以及凌力尔特的 Hot SwapTM 控制器系列起到了补充作用，这个控制器系列中包括具严格 UV/OV 容限的 LTC4252A 和具内部 ADC 以实现多种监视功能的 LTC4261。
LTC4355 规定在商用和工业温度范围内工作，采用 4mm x 3mm 14 引线 DFN 和 16 引线 SOIC 封装。该器件有现货供应，以 1,000 片为单位批量购买，每片起价为 2.50 美元。
性能概要：LTC4355
• 取代肖特基功率二极管
• 控制 N 沟道 MOSFET
• 0.5us 关断时间限制峰值故障电流
• 宽工作电压范围：9V 至 80V
• 平稳切换，无振荡
• 无反向 DC 电流
• 监视 VIN、保险丝和 MOSFET 二极管
• 16 引线 SO 和 4mm x 3mm 14 引线 DFN 封装 |
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