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镁光:推出首款1066MHz DDR2内存芯片
新闻出处:极速网 发布时间: 2007年05月14日

全球著名的DRAM内存芯片制造商之一的美国镁光(micron)公司近期发布首款运行频率达到1066MHz的DDR2内存芯片产品,这一系列的内存模组不仅仅只是用来供给普通内存模组生产制造之用,同时也意味着镁光这一系列的内存芯片颗粒更鼓励内存模组厂商推出特别设计的预超频内存模组产品。
镁光所推出的内存芯片颗粒采用78纳米制程技术,容量1G bit,可以用来设计制造容量512MB,1GB,2GB容量的DDR2内存模组,电压设定满足标准DDR2内存的1.8v供电要求。
先前不少内存模组厂商都选择镁光推出来的800MHz内存芯片颗粒,并预先超频到1066MHz,工作电压也提升到2.1v~2.2v,用以提供给喜欢极致超频的玩家,并在设计方面更强调配合高端主板的稳定性表现力。
镁光正式发布的1066MHz内存颗粒集成电路控制器芯片允许制造商将内存设定到配合标准电压的PC2-8500内存模组产品,同时,预超频的内存模组也将会拥有更高性能表现。
目前Nvidia所提供的intel平台芯片组产品就可以正式的支持PC2-8500内存模组,另外包括VIA,SIS,AMD也都有支持到这一规格的芯片组产品,但是目前还并不清楚最具影响力的intel公司是不是也会支持这一标准。
镁光公司提供的1G bit DDR2 1066MHz内存芯片现在已经可以提供测试样品给特定合作客户,预计量产阶段定为今年Q3。

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