芯片技术40年来大突破漏电量将锐减

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芯片技术40年来大突破漏电量将锐减

新闻出处：IT168 发布时间： 2007年06月19日

英特尔的基本晶体管设计取得了一项巨大的进步。英特尔披露称，它正在使用两种全新的材料制作45nm晶体管的绝缘层和开关栅。
　　这种晶体管能够让英特尔继续提高处理器性能，同时减少晶体管的漏电量。晶体管漏电影响到芯片和PC设计、尺寸、耗电量、噪声和成本，这个技术还将保证摩尔定律在下一个10年仍然发挥作用。
　　英特尔将使用high-k技术制作晶体管栅绝缘体，用一种新的金属材料组合制作晶体管栅电极。Gordon Moore说，采用“high-k”和金属材料标志着自从60年代末推出多晶硅栅MOS晶体管以来晶体管技术的一个最大的变化。
　　Intel的下一代Core 2 Duo、Core 2 Quad和Xeon等多内核处理器将使用数亿个这种微型晶体管，Penryn出品之后Intel将把它领先于半导体行业其它竞争对手的优势扩大到了一年以上。

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