双极晶体管和肖特基二极管改进技术

发布于：2007/6/25 8:27:49 | 2631 次阅读

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设计进步及封装技术的改进使开发优化的分立半导体器件成为可能，例如低饱和电压晶体管及超低正向压降肖特基整流二极管。此类新器件可满足当今电子产品在散热、效率、空间占用和成本方面的高要求，对于便携式电池供电设备（如笔记本电脑、数码相机）及汽车中的负载切换和电源系统，此类新器件是的解决方案。
---集电极功耗PC=VCEsat×IC是双极晶体管损耗的重要来源。由于集电极电流IC是由应用预先确定的，因此，器件生产商要想降低晶体管损耗惟一的选择是降低集电极-发射极饱和电压VCEsat。低VCEsat晶体管的出现主要归功于网状结构发射极技术的应用。
--网状结构发射极（mesh-emitter）设计将发射极区域扩展到更大面积的区域，同时使其以网状结构与基极接触，因此可降低发射极串联电阻。这样做的结果是基极驱动更为平均，从而可更有效地利用裸片上的发射极有源区域，并进而大大降低集电极-发射极饱和电压（如图1所示）。
---在相应的封装所允许的限制内尽量增大裸片面积可以进一步降低器件的损耗。图2说明开发并应用新的引线框架和6引脚封装（如SOT457）还可改善器件的散热情况。

与中功率晶体管性能相当
---由于晶体管的总成本受封装成本的影响很大，因此，采用SOT23封装的晶体管要比采用较大的SOT223封装的晶体管的成本低得多。
---对于传统晶体管设计，通常是所需要的集电极电流限制了裸片尺寸，从而限制了进一步小型化的努力。例如，采用传统设计，集电极电流>0.5A的晶体管无法采用SOT23封装。另一方面，如果采用网状结构发射极技术，现在已经可以在SOT23封装中提供集电极电流大于2A的晶体管。因此，网状发射极晶体管（SOT23）可以用来代替更大的SOT223封装晶体管，并且提供相当、甚至更好的特性。BISS晶体管PBSS4350T和PBSS4320T以及中功率晶体管BDP31。

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