这些新型PowerPAK ChipFET器件的热阻值低75%，占位面积小33%，厚度(0.8毫米)薄23%，它们成为采用TSOP-6封装的MOSFET的小型替代产品。这些器件的最大功耗为3W，与更大的SO-8封装的相同。

     凭借低传导损失及更高热效，Vishay新型PowerPAK ChipFET系列中的p通道功率MOSFET可延长便携式设备的电池使用时间，在这些器件中，它们将用于替代采用TSOP-6封装的负载、充电器及电池MOSFET开关。此外，肖特基二极管版本的p通道还可作为便携式设备或异步直流到直流应用中的充电器开关，例如硬盘驱动器及游戏机中的充电器开关，以替代采用SO-8封装的器件。

     由于这些新型PowerPAK ChipFET功率MOSFET具有多种配置及电压，因此设计人员可利用采用这种创新封装的器件轻松替代热效更低的更大MOSFET。日前推出的这七款新型器件为单通道、双通道及单通道带肖特基二极管的功率MOSFET，它们的额定击穿电压为12V及20V。

      采用PowerPAK ChipFET系列封装的单个p通道功率MOSFET的额定典型热阻值低至3℃/W(RthJC)，20VDSp通道单信道器件中的最大导通电阻值低至0.021Ω，双通道器件的最大导通电阻值为0.064Ω——与采用TSOP-6封装的器件相比，改进了50%。

     同样封装的互补n通道与p通道PowerPAK ChipFET MOSFET对于n通道元件具有0.039Ω的导通电阻值，对于p通道元件具有0.072Ω的导通电阻值，与采用TSOP-6封装的导通电阻值-rDS(on)最低的相应器件相比，改进了35%以上。

      目前，这些新型PowerPAK ChipFET器件的样品及量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为12-14周。所有这些新型PowerPAK ChipFET器件均与采用标准ChipFET封装的产品引脚兼容。