安森美半导体 (Onsemi) 为当今最先进的计算、数据存储、连网和消费应用的同步存储器模块推出两款新的时钟分配器件，扩展了高性能 ECLinPSTM 时钟管理产品系列。新的 NB4N121K 和  NB4N111K 为全面缓冲双列直插内存模块 (FBDIMM) 应用提供差分主时钟信令等级 (HCSL) 输出和极低传输延迟变异。

　　新的NB4N121K和NB4N111K都是3.3伏 (V) 时钟分配器件，带有差分HCSL 输出，针对100、133、166、200、266、333 和400 MHz等典型FBDIMM频率应用。这两款器件采用先进的0.25 微米 (μm) CMOS 工艺技术制造，性能远超竞争产品——产生仅 0.3 皮秒 (ps) 的相加相位抖动和不足100 ps的输出至输出歪曲率。(每个差分对的最大传输延迟变异Δtpd为100 ps。)竞争性器件的典型抖动超过 1 ps时，歪曲率远高于 100 ps。因此，安森美半导体最新的 ECLinPS™ 器件为系统设计人员省下更多的珍贵时序预算。

　　安森美半导体新的时钟分配器件进行了优化的设计、布线和处理，将器件内歪曲率和器件之间歪曲率降到最低。系统设计人员能够利用这种出色性能为其存储器控制器和FBDIMM模块分配低歪曲率、低抖动的时钟。两款器件的时钟输入引脚还内部整合了 50 欧姆 (Ω) 的片内端接 (ODT) ，减少元件数量和简化电路板布线。

　　NB4N121K 是 1 : 21 或 1 : 42 的HCSL时钟分配器件。在 1 : 21 下，该器件提供业内最宽的扇出，能配置成 2X 模式，提供 1 : 42 HCSL 扇出。该器件接受差分低压正射极耦合逻辑 (LVPECL) 、电路模式逻辑 (CML) 或低压差分信令 (LVDS) 等级，也能在配以适当的交流参考电源|稳压器 (VREFAC) 下，接受单端 LVPECL、CML、低压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 或 LVTTL 等级。在1X负载模式下，IREF (引脚1) 的输出驱动电流通过接地来选择。如果配置成2X负载模式，则能够轻易地通过连接IREF 到VCC 来完成。

　　NB4N121K 是 1 : 10 HCSL 时钟分配器件，接受差分 LVPECL、CML 或 LVDS 输入等级，并能在配以适当的交流参考电源下，接受单端 LVPECL、CML、LVCMOS 或 LVTTL 等级。

　　NB4N121K 采用符合 RoHs 指令、52 引脚、裸露焊盘 QFN 封装，每 1,000 片的批量单价为 4 美元。NB4N111K 采用符合 RoHS 的32 引脚、裸露焊盘 QFN 封装，每 1,000 片的批量单价为 3.75 美元。