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Vishay推出新系列半桥600V及1200V IGBT模块
新闻出处:国际电子商情 发布时间: 2008年03月21日

  Vishay宣布推出采用业界标准 Int-A-Pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。该系列由八个 600V 及 1200V 器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。

  日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 IGBT 技术。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用标准穿通 (PT) IGBT 技术,而GA200TS60UPbF, GA75TS120UPbF, 及GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。GB100TS60NPbF,GB150TS60NPbF及GB200TS60NPbF模块采用第 5 代非穿通 (NPT) 技术,可实现 10μs 短路功能的额外优势。

  该GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF 是专为高达 1kHz 硬开关工作频率而优化的标准速度器件。其他六个 IGBT 是与用于桥配置的 HEXFRED超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块。这些超快速器件可在硬开关中实现 8kHz~60kHz 的高工作频率,在共振模式下可实现 200kHz 以上的工作频率。

  Vishay 新型 IGBT 系列具有 75A~200A 的高额定电流及低功耗,该系列器件专为高频工业焊接、UPS、SMPS、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。对于输出逆变器 TIG 焊机应用,这些 IGBT在额定电流时提供了当前市场上“S”系列模块中最低的 Vce(on) .

  这些新型 IGBT 无铅 (Pb),并且可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低 EMI,可减少缓冲,并可提供超低的结到外壳热阻。

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