首 页 | IC | 非IC 电子资讯 技术资料 | 会员助手 | 电子论坛 | 帮助
资讯搜索:
首页 > 电子资讯 > 新品快讯 > 正文 一周热门资讯排行
Linear推出高速同步MOSFET驱动器LTC4443/-1
新闻出处:电子工程专辑 发布时间: 2008年03月24日

  凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4443/-1,该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和凌力尔特公司众多 DC/DC 控制器之一相结合,可形成一个完整的高效率同步电源|稳压器,以用作降压或升压型 DC/DC 转换器。

  这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 的电流并提供高达 2.4A 的电流,从而非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4443/-1 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动 3000pF 负载时,快速 12ns 上升时间和 8ns 下降时间最大限度减小了开关损耗。该器件还集成了自适应贯通保护,以防止高端和低端 MOSFET 同时导通,并最大限度缩短死区时间。该器件含有集成的自举肖特基二极管,可简化电路

  LTC4443/-1 包括一个三态 PWM 输入以用于电源级停机,该输入与所有具三态输出功能的多相控制器兼容。另外,该器件还有一个单独的电源,供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配,而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外,该器件在 6V 至 9.5V 范围驱动高端和低端 MOSFET 的栅极,并在电源电压高达 38V 时工作。“-1”版本具有较高的 6.2V VCC 欠压闭锁,而不是 3.2V,以用来驱动标准 5V 逻辑 N 沟道 MOSFET。

  LTC4443EDD 和 LTC4443EDD-1 都采用 3mm x 3mm DFN-12 封装,以 1,000 片为单位批量购买,每片价格为 1.35 美元。LTC4443IDD 和 LTC4443IDD-1 经过测试,保证在 -40℃ 至 85℃ 的工作温度范围内工作,千片批购价为 1.50 美元。

  性能概要:LTC4443/-1

  同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

  大驱动电流: 提供 2.4A,吸收 5A

  自适应贯通保护

  驱动 3000pF 负载时高端栅极下降时间为 8ns

  驱动 3000pF 负载时高端栅极上升时间为 12ns

  三态 PWM 输入用于电源级停机

  集成自举肖特基二极管

  最高电源电压为 38V

  栅极驱动电压为 6V 至 9.5V

  LTC4443 的 UVLO 为 3.2V

  LTC4443-1 的 UVLO 为 6.2V

关闭】【推荐】【打印
相关资讯
· 暂且没有相关信息
·美国理想发布61-796三极接地电阻测试仪
·Vishay 推出超高精度电流感应芯片电阻
·Vishay 推出超高精度Z箔表面贴装电流感应芯片电阻
·安森美新推8/12/16A三端双向可控硅开关元件系列
·Mitsubishi推出用于WiMAX的功率放大器
·Avago推出AMMC/P-6333,宽带驱动放大器
·飞兆半导体推出IntelliMAX系列负载开关产品
·安森美推出新微封装的晶体管和二极管
·NEC电子推出FS系列44款车载用稳压二极管
·R&S推出终端信号分析仪R&S FSV

关于我们 | 服务项目 | 付款方式 | 诚聘英才 | 友情链接 | 投诉 建议 合作 | 网站地图 | 联系我们
©2006-2010 维库电子市场网 经营许可证编号:浙B2-20050339 法律声明