基于45nm制造工艺和高-K金属栅极晶体管技术而设计的处理器，其尺寸更加小巧，在降低功耗的同时更加有利于性能提升。首款基于45nm制造工艺设计的Penryn核心处理器获得了750项以上的设计成果。

　　在环保领先的设计方面，45nm处理器全部采用无卤封装技术，配合早期在65nm制造工艺上实现的无铅封装。英特尔45nm处理器不但代表了行业内最高水平的制造工艺，其对环境的贡献也是不可磨灭的。

　　相比65nm制造工艺处理器，采用英特尔45nm制造工艺生产的处理器密度再次增加，其在相同的芯片空间内增加了接近两倍数量的晶体管。双核心架构产品达到4.1亿的晶体管数量，而四核心架构产品则达到了8.2亿的晶体管数量。45nm和高k处理器制造工艺的实现，堪称半导体行业40年来取得革命性的突破，晶体管切换速度提升效能达20%以上，使得直接导致功耗居高不下的晶体管门漏电率降低超过10倍。

　　45nm制造工艺处理器采用的高-K金属栅极技术，它以全新的铪基氧化物为新的晶体管材料,这些先进技术的应用，无疑将为最终用户提供更高能效，且宜于环保长久发展的高科技产品。

　　英特尔之所以按照“Tick-Tock”策略按部就班的推进制造工艺和处理器微架构更新换代，取保偶数年推进处理器架构更新、奇数年推进处理器制造工艺更新。英特尔付出高昂的研发费用来实现处理器技术的领先保持技术上的优势，每逢英特尔处理器制造工艺更新、处理器微架构换代，便意味这消费者可以用相同的价格，买到更高能效及更低功耗的产品，现在这些产品的环保技术含量更加出众。