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英飞凌推出LDMOS射频功率晶体管,瞄准WiMAX无线宽带应用
新闻出处:电子设计技术 发布时间: 2008年05月06日

  英飞凌科技发布两款面向无线宽带应用的最新LDMOS射频功率晶体管,例如在2.5至2.7 GHz频段上运行的WiMAX应用。这些产品可提供最高达170 W的峰值输出功率,进一步壮大了英飞凌目前已包括10 W、45 W和130 W器件的面向WiMAX应用的射频功率晶体管产品阵营。这款LDMOS射频功率晶体管杰出的峰值功率性能可支持设计师简化其射频功率放大器的设计。

  英飞凌科技公司副总裁兼射频功率器件业务部总经理Helmut Volger表示:“英飞凌产品家族的这名新成员,将是市场上拥有最高峰值功率的射频功率晶体管。随着WiMAX和其他新技术逐渐在无线宽带市场上占有一席之地,诸如英飞凌LDMOS射频功率晶体管等拥有更加出色的特性和处理能力的产品,将成为设计师五金|工具包中至关重要的一份子。得益于其更高峰值功率,设计师可以开发出更简单的设计,降低总材料成本。”

  在WiMAX信号条件下,提供16 W平均输出功率时,英飞凌PTFA260851E/F 85W FET可实现14 dB增益(典型值)和22%效率(典型值)。在WiMAX信号条件下,提供32 W平均输出功率时,PTFA261 
702E 170W FET可实现15 dB增益(典型值)和20%效率(典型值)。

  英飞凌PTFA261702E的额定峰值功率为170W(P-1 dB),是2.5 GHz至2.7 GHz频段上的行业最高峰值功率。该晶体管的架构一分为二,并且实现电气隔离,可轻松用于Doherty隔离放大器应用。该器件也可用于推拉式配置,以提高带宽性能。

  这两款产品均采用符合RoHs标准的无铅陶瓷封装。这两个晶体管的工作电压为28 V,可实现宽带内部匹配,并且能够在CW(等幅波)功率输出和28 V电源|稳压器电压下,处理10:1 VSWR(电压驻波比)。

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