罗姆与日产汽车共同开发出了可靠性高的SiC二极管。采用了日产开发的异质结二极管（Heterojunction Diode，HJD)结构，与以往使用肖特基二极管（Schottky Diode，SBD）的SiC二极管相比，雪崩耐量(Avalanche Capability）提高到了原来的10倍左右，抗击穿性大幅提高，达到了原来的10倍左右。异质结为聚硅与SiC的组合体。

　　向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减。此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。

　　为了用于混合动力车、燃料电池车、电动汽车车等的逆变器上，要求使用高耐压、大电流容量的二极管。而目前主流的硅二极管，其导通电阻高达5mΩcm2～10mΩcm2，除了会发生功率损耗外，还需要对功率损耗引起的发热采取措施。使用SiC时，不仅可以提高耐压性，而且还能够将导通电阻降至1mΩcm2以下，从而降低功耗。不过，由于雪崩耐量比硅低，因此在用于低温环境或启动时容易产生电压噪音的车用逆变器时，还存在问题。

　　此次开发的二极管的芯片特性为5mm见方、耐压900V、导通电阻0.85mΩcm2。可在车用逆变器电路中采用可靠性高的SiC二极管，将逆变器电路的能量效率提高约20％，并简化散热板等冷却装置，从而使包括周边装置的整个逆变器实现大幅小型轻量化。