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东芝宣布1GB MRAM芯片即将完成
新闻出处:SEMI  发布时间: 2008年06月10日

  日前东芝公司表示,他们对MRAM(Magnetoresistive RAM 磁性随机存储器)的研究将要结出果实,即将生产出邮票大小的1GB容量MRAM芯片,并计划在以后的几年中逐步取代目前广泛使用的DRAM。

  MRAM拥有非易失性,存储单元体积小,功耗低,据称其耗电量仅为DRAM的十分之一,读写寿命无限等等的优势。其速度远高于闪存,业界普遍认为MRAM有可能在将来用作PC内存,实现即时开机进入操作系统。

  东芝的研究人员表示他们利用一项和IBM相似的技术spin-RAM解决了MRAM热量波动的问题,利用电流控制MRAM的磁极方向。

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