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卓芯微电子推出RCR1565FB双P沟道增强型场效应管
新闻出处:国际电子商情 发布时间: 2008年07月14日
  卓芯微电子(Innova Semi)推出双P沟道增强型场效应管产品RCR1565FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺,具有极低的导通电阻,并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。

  RCR1565FB主要应用于基于TI平台的手机设计方案的充电线路,其基本电路如下图所示:

 

  电源|稳压器管理器件通过控制栅极电压,达到控制两颗PMOS的开关频率的目的,PMOS中的寄生二极管可以防止VBAT电流倒灌。

  RCR1565FB具有以下特点:

  极小的导通电阻使器件在工作状态下产生极少的功率耗散,提高了能效;

  采用DFN2×2封装(2.0×2.0×0.55mm),节约pcb占板面积,其0.55mm的厚度更是有利于超薄机型设计;

  在器件腹部增加了散热片,大幅提升器件额定功耗和散热能力,防止PCB热损伤,提升整机安全性。

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