Tezzaron Semiconductor Corp. (Naperville, Ill.)和Ziptronix, Inc. (Morrisville, N.C.)已着手开发采用IMIS端口的存储器芯片，预期将在2008年底推出首款产品。

　　Tezzaron公司CEO Robert Patti 称，“现在的高速处理器内核要求具有非常高带宽的3-D互连，现有的以及一定时间内的DDR存储器技术是不能满足这一要求的”。

　　通过堆栈存储器裸片和处理器，两者的“亲密连接“使每个引脚的功耗约为24微瓦，而DDR每个引脚的功耗为30-40毫瓦。依据IMIS的标准，处理器和存储器之间1,000个引脚并行连接的功耗被限制在低于3W，而传统的互连功耗超过了30W。

　　“我们相信IMIS解决了处理器制造商们要实现上G存储时的带宽问题，访问我们的DRAM的典型时间为7奈秒” ，Patti称，“我们接近了DRAM的密度和SRAM的速度并提供比DRAM有竞争力的成本。”