Intel逻辑技术研发部(Hillsboro,Ore.)工艺架构和集成主管MarkBohr介绍说，当开始计划生产22nm的微处理器产品时，IntelCorp.(SantaClara,Calif.)认为在2011年前极紫外（EUV）光刻技术都不会是一项具有生产价值的技术。

　　“现实情况不利于EUV技术。第一点：Intel计划在2011年迈入22nm技术时代；第二点：就这项技术的进展而言，我相信没有人会声称这项技术能够在此之前达到量产需求。也许在一年后即2012年可能会有转机。Intel会继续推动这项技术的发展、成熟，我们并不会因此而停下迈向22nm的步伐。”Bohr说。

　　22nm工艺技术的开拓者Bohr介绍道，Intel会不遗余力的探索各种方案来延伸193nm浸没式光刻技术的使用寿命。EUV技术将定位于一种“备选或升级”方案，但是它不会首先用于量产。在一一罗列了包括EUV掩膜版、反射镜光路、“高能”光源以及光刻胶等方面的技术问题和挑战后，Bohr补充道：“针对这些问题的研究工作都在有条不紊的进行着，但是并不能在2011年前取得成功。”

　　Intel也在继续E
 
　　UV光刻技术的研发工作，而且我们已经逐步掌握了其中的要领。令人欣慰的是现在越来越多的公司将EUV技术视为它们22nm或16nm的技术解决方案。

　　Intel正致力于开发能够适用于各种不同光刻技术的新一代设计架构，它将集相移掩膜技术（PSM）、可制造性设计技术（DFM）以及光学临近效应修正技术（OPC）于一身进而能将22nm浸没式光刻技术延伸至22nm节点。

　　尽管Bohr没有透露具体细节，但是在过去的一年里，Intel的科学家们已经开发出了一套反向光刻技术，这项技术是在全透明的无镉基板上刻蚀出各种不同形状、倾角的图形，当被193nm光线照射时可以形成相移效应，从而能够将浸没式光刻技术延伸至22nm。

　　在去年六月份举办的Intel研究回顾与展望报告会上，Intel先进光刻技术主管YanBorodovsky介绍了计算光刻技术的进展情况。他介绍说在SantaClara,Calif.的Intel研发中心，技术人员对采用这项技术制造的各种掩膜版进行测试。这一研究工作需要海量的运算资源，以便于能够使用算法反向推导麦克斯韦方程组。在去年九月的一次在线论坛上，Borodovsky与VLSIResearchInc.(SantaClara,Calif.)CEO-DanHutcheson一起对这项技术加以解释说明，在掩膜版上刻蚀图形会导致光线干涉从而在光刻胶上曝光成像。“实现这项技术是非常困难的，”Borodovsky说：“此外，为了能将这项技术实用化，算法还需要得到进一步优化以满足快速、低能耗的需求。”

　　Borodovsky还在报告中展示了用于测试的65nm像素化掩膜版。借助传统的DFM技术和双重成像技术（DP），Intel能够将浸没式光刻技术延伸至32nm。到了22nm技术节点时，基于计算光刻技术制作的像素化掩膜版和依靠DP将能够进一步向下延伸浸没式光刻技术的使用寿命，此外，由于EUV技术高昂的使用成本，Intel并不看好这项技术的商业价值。

　　Bohr强调在引进、采用新技术方面，Intel将始终保持每两年一代的节奏。2007年9月举办的Intel研发论坛上，Intel公布了一枚容量达到19亿个晶体管、芯片面积为1.82μm2的32nm测试芯片。

　　现在，Bohr介绍说在位于Hillsboro的公司研发工厂内，生产32nm测试芯片简直是“家常便饭”，下一阶段的目标直指对外发布32nm微处理器。其中一个优势是Intel能够将高介电常数绝缘材料/金属栅电极工艺延伸至32nm节点乃至以下。

　　“我们正致力于实现在2009年下半年量产32nmMPU产品，”Bohr说。而且尽管目前困难重重，基于22nm的产品将于2011年发布。

　　当被问及Intel是否能够将平面晶体管延伸至22nm节点时，Bohr说：“对于选择平面或垂直结构等这类方向性问题而言，目前尚无定论，我们也在不断探索中。包括平面型晶体管在内，现在有几个可能的方案摆在我们面前。但是为了满足晶体管高性能和低漏电流的需求，实现22nm技术还有不少困难需要克服，其中也包括来自成像方面的挑战。”