IBM联合联盟厂商AMD，意法半导体，Freescale，以及东芝，Nanoscale 科学工程大学发布首款基于22纳米技术制程生产的SRAM芯片，该芯片将会在其位于纽约州Albany的300毫米研发工厂进行测试和试产。

　　22纳米技术领先于当前的芯片制程技术两倍，SRAM存储单元由传统的6个晶体管集成在0.1平方微米区域中，这一技术已经打破上一代的密度比例界限。

　　而传统的SRAM芯片集成密度受到堆积基础尺寸影响，也就是一个单元的面积，不过IBM联盟研究机构优化了单位存储单元设计，以及电路设计，以增强其可靠性，借助新技术使得提升SRAM单元存储密度成为可能。

　　该项技术使用高NA沉浸蚀刻技术印制样板，在300毫米晶圆芯片上实现全新的密度极限。

　　SRAM的核心单元尺寸是半导体工业材料发展的核心技术，而IBM此次又走在了晶圆制程技术的前沿。

　　英特尔已经在一年前发布32纳米技术，但还没有具体透露22纳米技术的相关资料，如果IBM领先的话，那么就意味着其技术联盟AMD也有机会采用更新的22纳米制程技术提升竞争力，而且对于AMD来说，其一直以弱势于英特尔的芯片制程技术受到竞争力不足的影响，到目前为止，AMD还在争取能为到今年底之前推出45纳米制程技术处理器而努力，而到那个时候，英特尔的45纳米处理器出货量将会超过一亿颗。

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