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PBSS5350T

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  • 大小:86.21KB
  • 厂家:PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述:50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:1.4mm
  • 封装类型:TO-236AB
  • 尺寸:1 x 3 x 1.4mm
  • 引脚数目:3
  • 晶体管类型:PNP
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:1200 mW
  • 最大发射极-基极电压:5 V
  • 最大基极-发射极饱和电压:1.2 V
  • 最大直流集电极电流:2 A
  • 最大集电极-发射极电压:50 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压:0.39 V
  • 最大集电极-基极电压:50 V
  • 最小直流电流增益:80 V
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 最高工作频率:100 MHz
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:双极功率
  • 配置:单
  • 长度:3mm
  • 高度:1mm
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