晶体振荡器 主要产品
OF4025
频率：32.768KHz
封装：4.0×2.5×1.3mm SMD
工作电压：+1.3V～5.5V
输出波形：CMOS
频率精度：(+5 ±20)ppm (Vdd=+3.3V,25℃)
温度稳定度：(-120℃～+10℃)ppm (at -20℃～+70℃ as the reference)
负载电容：15pF
输出电平：VOL 4.0V max / VOH(VDD-0.4VCL=15pF,25℃)
存储温度：-55℃～125℃
OF2520
频率：0.750MHz～50.000MHz
封装：2.5×2.0×0.8mm SMD
工作电压：+3.3V ±5%;+3.0V ±5%;+1.8V ±5%
输出波形：CMOS
温度稳定度：±30(-20℃～+70℃) , ±50ppm, ±100ppm
负载电容：15pF
输出电平：VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率：±3ppm/year Max
存储温度：-55℃～125℃
OF3225
频率：0.75MHz～75.00MHz
封装：3.2×2.5×0.9mm SMD
工作电压：+3.3V ±5%;+2.5V ±5%;+1.8V ±5%
输出波形：CMOS
温度稳定度: ±25ppm～±50ppm
负载电容：15pF ;or Specify
输出电平：VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率：±3ppm/year Max
存储温度：-55℃～125℃
OF3225
频率：0.5MHz～45.0MHz
封装：3.2×2.5×0.9mm SMD
工作电压：+3.3V 、 +2.7V 、 +5.0VDC±10%
输出波形：CMOS
温度稳定度: ±10ppm；±15ppm
负载电容：15pF Max
输出电平：VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率：±2ppm/year Max
存储温度：-40℃～85℃
OF5032
频率：0.5MHz～125.0MHz
封装：5.0×3.2×1.2mm SMD
工作电压：+3.3V 、 +1.8V±5%
输出波形：CMOS
温度稳定度: ±25ppm；±50ppm; ±100ppm
负载电容：15pF Max
输出电平：VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率：±3ppm/year Max
存储温度：-55℃～125℃
OF5032
频率：10MHz～168.0MHz
封装：5.0×3.2×1.2mm SMD
工作电压：+3.3V 、 +1.8V±5%
输出波形：CMOS
温度稳定度: ±25ppm；±50ppm; ±100ppm
负载电容：15Pf Max
输出电平：VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率：±3ppm/year Max
存储温度：-55℃～125℃
OF7050
频率：100MHz～200.0MHz
封装：7.0×5.0×1.3mm SMD
工作电压：+3.3V or Specify
输出波形：P:PECL
温度稳定度: ±25ppm；±50ppm; ±100ppm
负载电容：15pF
老化率：±5ppm/year
存储温度：-55℃～125℃
OS7550
频率：19.44MHz～320.0MHz
封装：7.5×5.0×1.3mm SMD
工作电压：+3.3V +2.5V
输出波形：P:PECL、LVDS
温度稳定度: (-20℃～+70℃)±50ppm
负载电容：100pF
老化率：±5ppm/year
存储温度：-55℃～125℃
OS7550
频率：100MHz～700.0MHz
封装：7.5×5.0×1.3mm SMD
工作电压：+3.3V +2.5V
输出波形：P:PECL
温度稳定度: (-20℃～+70℃)±50ppm
负载电容：50pF
老化率：±5ppm/year
存储温度：-55℃～125℃
OF1281
频率：1MHz～125.0MHz
封装：12.8×12.8×5.0mm SMD
工作电压：+5V±5% +3.3V±5%
输出波形：CMOS
温度稳定度: ±25ppm ±50ppm ±100ppm
负载电容：15pF(*30pF)
老化率：±3ppm/year
存储温度：-55℃～125℃
OF2041
频率：1MHz～125.0MHz
封装：20.4×12.8×5.0mm SMD
工作电压：+5V±5% +3.3V±5%
输出波形：CMOS
温度稳定度: ±25ppm ±50ppm ±100ppm
负载电容：15Pf(*30Pf)
老化率：±3ppm/year
存储温度：-55℃～125℃
OF2041
频率：1MHz～70.0MHz
封装：20.4×12.8×7.0mm SMD
工作电压：+5V±5% +3.3V±5%
输出波形：CMOS
温度稳定度: ±25ppm ±50ppm ±100ppm
负载电容：15Pf(*30Pf)
老化率：±3ppm/year
存储温度：-55℃～125℃
定做方法：用户可以提出相应的参数和指标定做，例如：封状、相噪、输出波形、频点、精度、温度频差、负载电容、老化率等。
本公司以"信誉第一,品质至上"的宗旨,期望与您建立长期友好的合作关系！欢迎您的来电垂询.
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