您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > MOSFET
商铺首页 公司简介 IC产品 供应产品 诚信档案 客户留言

场效应管 2SK3667,K3667,2SK3797,K3797

供应 场效应管 2SK3667,K3667,2SK3797,K3797
供应 场效应管 2SK3667,K3667,2SK3797,K3797
  • 型号/规格:

    2SK3667,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,7.5A,1Ω

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    2500/盒

VIP会员 第 18
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83364431
    0755-83364431

    手机:15811840616
    15811829690

    联系人:刘小姐/钟小姐

    QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

    微信:

    邮箱:2355799104@qq.com

    地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

商品信息

2SK3797,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,13A,0.43Ω
2SK3667,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,7.5A,1Ω

产品型号:2SK3667
 特点
(1) 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 0.75 Ω (typ.)
(2) 高正向传输导纳: |Yfs| = 5.5 S (typ.)
(3) 低漏电流: IDSS = 100uA (max) (VDS = 600 V)
(4) 增强模式: Vth = 2 to 4 V (VDS=10V,ID=1mA)

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):7.5

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):1300 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):5.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):189

导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.

上升时间Tr(ns):20 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ.

下降时间Tf(ns):35 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,7.5A N-沟道增强型场效应晶体管

 

联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83364431
0755-83364431

手机:15811840616
15811829690

联系人:刘小姐/钟小姐

QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

微信:

邮箱:2355799104@qq.com

地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9