各地市场:深圳 | 汕头 | 北京 | 上海

微信扫一扫
关注我们

您现在的位置:维库电子市场网>非IC > 场效应管(模块) > MOSFET

联系我们

  • 【联系时请说明来自维库电子网】
  • 深圳市金城微零件有限公司

    深圳市金城微零件有限公司

  • 会员年限:VIP会员第8年
    营业执照:已审核
    经营模式:经销商
  • 地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
    电话:0755-82814431/82814432/83683996
    手机:13714025286
    传真:0755-83957820
    联系人:郭小姐/陈小姐/刘小姐
    网站:http://www.chinajincheng.com
  • 进商铺看看

场效应管 AOTF8N50,8N50,TF8N50

  • 最小起订量价格

    50PCS面议

  • 发货期:1天内发货
  • 型号规格:AOTF8N50,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω
  • 品牌:AO
  • 产品咨询直线:13714025286
    联系供应商在线客服: QQ:4006262666QQ:2355799101QQ:2355799104MSN:szjc009@hotmail.com MSN:szjc019@hotmail.com

产品详细说明

  • 型号/规格

    AOTF8N50,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω

  • 品牌/商标

    AO

  • 封装形式

    TO-220F

  • 环保类别

    无铅环保型

  • 安装方式

    直插式

  • 包装方式

    1000/盒

 

产品型号:AOTF8N50

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.6

功率PD(W):38.5

输入电容Ciss(PF):868 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):10

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):307

导通延迟时间Td(on)(ns):19.5 typ.

上升时间Tr(ns):47 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):51.5 typ.

下降时间Tf(ns):38.5 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管

公司相关产品

  • 供应 三极管 2SD2396,D2396

    供应 三极管 2SD2396,D2396
    产品型号:2SD2396 封装:TO-220F 通道极性:NPN 集电极-基极电压VCBO(V):80 集电极-发射极电压VCEO(V):60 发射极-基极电压VEBO(V):6 集电极电流 IC(A):3 功率PC(W):30 特征频率fT(MHZ):40 放大倍数hFE:400-2000 集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :0.8 结温Tj(℃)150 存储温度T stg(℃): -55 ~150 描述:60V,3A NPN硅晶体管...

  • 供应 场效应管 QM6015B,M6015B,QM6015

    供应 场效应管 QM6015B,M6015B,QM6015
    产品型号:QM6015B 封装:SOT-263 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 夹断电压VGS(V):±20 最大漏极电流Id(A):-45 源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2.5 功率PD(W):86.8 输入电容Ciss(PF):3635 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s):23 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):162 导通延迟时间Td(on)(ns):38 typ. 上升时间Tr(ns):23.6 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ. 下降时间Tf(ns):6.8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:-60V,-45A P-沟道增强型场效应晶体管...

供应" 场效应管 AOTF8N50,8N50,TF8N50"其他供应商