产品型号:AP40T03GP
特点
 * 简单的驱动要求
 * 低栅极电荷
 * 快速切换
 * 符合RoHS

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):28

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):31.25

输入电容Ciss(PF):655 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：15

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250

导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.

上升时间Tr(ns):62 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ.

下降时间Tf(ns):4.4 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,28A N-沟道增强型场效应晶体管

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