产品型号:TPCA8025
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)

Applications/应用
 * Lithium-Ion Battery Applications/锂离子电池应用
 * Notebook PCs/笔记本电脑应用
 * Portable Equipment Applications/便携式设备的应用

Features
 * 超薄小体积封装
 * 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 2.7 mΩ (typ.)
 * 高正向转移导纳: |Yfs| = 80S (typ.)
 * 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)
 * 增强模式: Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

封装:PSOP-8

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):40

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0035 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):2200 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：80

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):208

导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ.

上升时间Tr(ns):12 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):74 typ.

下降时间Tf(ns):23 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:TPCA8025,30V,40A N-沟道增强型场效应晶体管

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