一、耐焊接热：
　　焊接温度: 270±5℃
　　预热: 120~150℃ 60秒
　　浸入时间: 10±1秒
　　在室温下放置24±2 (C0G) 或48±4(X7R) 小时以后测量
　　试验后在标准条件下恢复
　　*高介电常数电容器的初始值测量
　　在140~150℃进行1小时的热处理后在室温下放置48±4小时
　　测量初始值

 

二、容量容差：
　　B=±0.1pF     C=±0.25pF
　　D=±0.5pF     F=±1.0%
　　G=±2.0%      J=±5.0%
　　K=±10%       M=±20%

三、去耦性能
　　去耦，又称解耦。 从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。

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