安森美MUR1560G规格：

　　产品类型：肖特基管

　　结构：点接触型

　　材料：锗（Ge）

　　封装形式：直插型

　　封装材料：塑料封装

　　功率特性：大功率

　　频率特性：高频

　　发光颜色：电压控制

　　LED封装：无色透明封装（T）

　　出光面特征：方形

　　发光强度角分布：高指向性

　　正向直流电流IF:15（A）

　　反向电压：600（V）

　　肖特基二极管优点

　　SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V,仅约100V,以致于限制了其应用范围。

　　像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。

　　即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD,一直是人们研究的课题和关注的热点。

　　近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和 200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。

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