MUR860G/MUR860
ON(安森美)
直插型
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
大功率
高频
8
600
企业名:深圳市凌云微科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-83592325
手机:15818510774
联系人:钟丽莎
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∟ 肖特基二极管(17)
安森美MUR860G/MUR860规格:
产品类型:肖特基管
结构:点接触型
材料:锗(Ge)
封装形式:直插型
封装材料:塑料封装
正向直流电流IF:8(A)
反向电压:600(V)
用途:电源
肖特基二极管特点
肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。显着的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
SBD的主要优点包括两个方面:
1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
2)由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适合于高频应用。
但是,由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿,反向漏电流比PN结二极管大。
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