产品参数：

 

 

　　类型： 存储器
　　品牌： ISSI
　　型号： IS62WV12816BLL-55TLI
　　封装： TSOP
　　批号： 2010+
　　产品种类 SRAM
　　封装-箱体 TSOP-II
　　工作电源电压 3.3 V
　　存储容量 2 Mbit
　　工作温度 + 85 C
　　工作温度 - 40 C
　　类型 Asynchronous
　　访问时间 55 ns
　　组织 128 K x 16
　　端口数量 Single
　　安装风格 SMD/SMT
　　工作电流 3 mA
　　接口 TTL

 

 

      ◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
　　◎缺点，集成度低，掉电不能保存数据，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
　　◎SRAM使用的系统：
　　○CPU与主存之间的高速缓存。
　　○CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。
　　○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
　　○CMOS 146818芯片（RT&CMOS SRAM）。

 

 

分类：　　　

按存储介质
　　半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。
　　磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。
　　

按存储方式
　　随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。
　　顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。
　　

按读写功能
　　只读存储器（ROM）：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。
　　随机读写存储器（RAM）：既能读出又能写入的半导体存储器。
　　

按信息保存性
　　非记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器。
　　记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器。

 

 

 

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