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SST
企业名:深圳市宝星微科技有限公司
类型:经销商
电话: 0755-888852264
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∟ SRAM (MOS型静态存储器)(3)
产品参数:
类型: 存储器
从物理层面解释,NOR闸闪存的每个存储单元类似一个标准MOSFET,除了晶体管有两个而不是一个闸极。在顶部的是控制闸(CONTROL Gate,CG),它的徐阿奴阿布是土匪以氧化物层与周遭绝缘的浮闸(Floathing Gate,FG)。由于这个FG在电气程度上是出于绝缘层独立的,所以湖边人员的毒啊班组会被困在里面,在一般的条件下,电荷经过很长时间都不会产生逃逸的情况。将FG放在CG与MOSFET通道之间。当FG抓到电荷时,它部分屏蔽掉来自CG的电场,并改变这个单元的阀电压(VT)。在读出期间。利用向CG的电压,MOSFET通道会变的导电或保持绝缘。这视乎该单元的VT而定(而该单元的VT受到FG上的电荷控制)。这股电流流过MOSFET通道,并以二进制码的方式读出、再现存储的数据。在每单元存储1位以上的数据的MLC设备中,为了能够更的测定FG中的电荷位准,则是以感应电流的量(而非单纯的有或无)达成的。
逻辑上,单层NOR FLASH单元在默认状态代表二进制码中的“1”值,因为在以特定的电压值控制闸极时,电流会流经通道。经由以下流程,NOR FLASH 单元可以被设置为二进制码中的“0”值。
宝星微公司成立于95年,一直专于SST、ISSI、EXAR、三星、HYNIX、PCT、GLS等品牌FLASH、SDRAM、SRAM、DDR、8051MCU等产品的推广及应用, 致力于向通讯、工控以及电子消费类等领域提供技术支持及产品零件供应, 宝星微公司对产品质量的控制始终保持一贯严谨的作风,在业内积累起较高的信誉。
宝星微公司秉持“诚信敬业,质量”的精神,以“原装,持续现货供应,低利润”的经营方法, 愿与新老客户共同发展,并将持之以恒,创造市场价格新低,协助客户提高竞争力,欢迎垂询!
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