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RFD12N06RLESM9A

更新时间:2024-03-25 05:53:08
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RFD12N06RLESM9A外观图

  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:UltraFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:63 毫欧 @ 18A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:485pF @ 25V
  • 功率 - 最大:49W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:TO-252-3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:RFD12N06RLESM9A-NDRFD12N06RLESM9ATR

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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