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SI2333DS-T1-E3

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  • 厂家:
  • 描述:MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
  • 数据列表:SI2333DS
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:32 毫欧 @ 5.3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:18nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1100pF @ 6V
  • 功率 - 最大:750mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI2333DS-T1-E3TR
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