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SI4413CDY-T1-GE3

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SI4413CDY-T1-GE3外观图

  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:-
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:-
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI4413CDY-T1-GE3TR
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