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SI4420BDY-T1-E3

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  • 大小:181KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
  • 数据列表:SI4420BDY
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8.5 毫欧 @ 13.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:1.4W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI4420BDY-T1-E3TR
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