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SI4465DY

更新时间:2024-04-24 16:21:13
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SI4465DY 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:ID=-14A/IDM=-40A/IS=-2.1A
    电压参数:UDS=-8V/UGS=±8V
    功    率:PD=2.5W
    其他参数:4.5V/0.0075Ω,2.5V/0.09Ω,tn=80ns
    极    性:P

SI4465DY的中文资料 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准

SI4465DY外观图

  • 制造商:Vishay
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:8 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 8 V
  • 漏极连续电流:14 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):9 mOhms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow
  • 下降时间:190 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:2.5 W
  • 上升时间:55 ns
  • 工厂包装数量:100
  • 典型关闭延迟时间:380 ns
SI4465DY 相关信息
  • 空间信息系统COTS技术下的抗辐射设计
    ...用Maxim公司的芯片MAX4373/4374/4375系列。它是一种低成本、微功耗的高端电流检测放大器+比较器+电压基准IC。 重启电源的开关可由P沟道增强型MOS管(P-channel MOSFET)来构造。选择Vishay公司的SI4465DY,高质量的MOSFET自身对辐射环境就有很好的免疫能力。 SEL的保护电路原理图如图2所示。 如图2所示,Vin是负载电路的电源,同时也是MAX4373的电源。上电后,经电流检测电阻Rsense后向负...
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