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SI5475DC-T1

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SI5475DC-T1外观图

  • 制造商:Vishay
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:12 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 8 V
  • 漏极连续电流:5.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):31 mOhms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:1206-8 ChipFET
  • 封装:Reel
  • 下降时间:80 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:1.3 W
  • 上升时间:20 ns
  • 工厂包装数量:3000
  • 商标名:TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间:122 ns
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