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SI7489DP-T1-E3

更新时间:2024-03-28 22:06:05
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  • 大小:102.3KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, P, PPAK SO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):41mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-28A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:PowerPAK; Power Dissipation Pd:83W; Rise Time:20ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:-3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V; Voltage Vgs th Min:1V
  • 数据列表:SI7489DP
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:28A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:41 毫欧 @ 7.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:160nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:4600pF @ 50V
  • 功率 - 最大:83W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI7489DP-T1-E3TR
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IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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